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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, TSOP54,.46,32 | 针数： | 54 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.83 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 6 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | JESD-609代码： | e6 |
| 长度： | 22.22 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流： | 0.001 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.2 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY57V28820ET-H | HYNIX |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
|
| HY57V28820HCLT | ETC |
获取价格 |
16Mx8|3.3V|4K|6|SDR SDRAM - 128M |
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| HY57V28820HCLT-6 | ETC |
获取价格 |
x8 SDRAM |
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| HY57V28820HCLT-6I | HYNIX |
获取价格 |
4Banks x 4M x 8bits Synchronous DRAM |
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| HY57V28820HCLT-8 | ETC |
获取价格 |
x8 SDRAM |
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| HY57V28820HCLT-8I | HYNIX |
获取价格 |
4Banks x 4M x 8bits Synchronous DRAM |
|
| HY57V28820HCLT-H | ETC |
获取价格 |
x8 SDRAM |
|
| HY57V28820HCLT-HI | HYNIX |
获取价格 |
4Banks x 4M x 8bits Synchronous DRAM |
|
| HY57V28820HCLT-I | HYNIX |
获取价格 |
4Banks x 4M x 8bits Synchronous DRAM |
|
| HY57V28820HCLT-K | ETC |
获取价格 |
x8 SDRAM |
|
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