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HY57V28820ALT-P PDF预览

HY57V28820ALT-P

更新时间: 2024-09-30 20:12:03
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 254K
描述
Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

HY57V28820ALT-P 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32针数:54
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.81
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54JESD-609代码:e6
长度:22.22 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP54,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.2 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HY57V28820ALT-P 数据手册

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HY57V28820A  
Revision History  
Revision 1.1 (Dec. 2000)  
Eleminated -10 Bining product.  
Changed DC Characteristics-ll.  
- tCK  
to 15ns from min in Test condition  
to 120mA from 110mA  
- -K IDD1  
- -K IDD4 CL2 to 120mA from 100mA.  
- -K IDD5  
to 240mA from 220mA.  
- -S IDD4 CL2 to 90mA from 100mA  
Added Burst-Read-Single-Write commend in Commend Truth Table  
1.2 : Hynix Change  
1.3 : Burst read single write mode correction  
Rev. 1.3/Aug. 01  
1

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Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
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