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HN58C256AP-10

更新时间: 2024-02-15 12:40:03
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瑞萨 - RENESAS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
27页 170K
描述
32KX8 EEPROM 5V, 100ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

HN58C256AP-10 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.6针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.66
最长访问时间:100 ns命令用户界面:NO
数据轮询:YES耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDIP-T28长度:35.6 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE页面大小:64 words
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.7 mm
最大待机电流:0.00002 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:YES
宽度:15.24 mm最长写入周期时间 (tWC):10 ms
Base Number Matches:1

HN58C256AP-10 数据手册

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HN58C256A Series, HN58C257A Series  
Pin Description  
Pin name  
A0 to A14  
I/O0 to I/O7  
OE  
Function  
Address input  
Data input/output  
Output enable  
Chip enable  
Write enable  
Power supply  
Ground  
CE  
WE  
VCC  
VSS  
RDY/Busy*1  
RES*1  
NC  
Ready busy  
Reset  
No connection  
Note: 1. This function is supported by only the HN58C257A series.  
Block Diagram  
Note: This function is supported by only the HN58C257A series.  
1
to  
I/O0  
I/O7  
RDY/Busy  
*
VCC  
High voltage generator  
VSS  
1
*
RES  
OE  
I/O buffer  
and  
input latch  
CE  
Control logic and timing  
WE  
1
*
RES  
A0  
to  
Y gating  
Y decoder  
X decoder  
A5  
Address  
buffer and  
latch  
Memory array  
Data latch  
A6  
to  
A14  
3

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HN58C256AP-10E RENESAS

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x8 EEPROM
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256k EEPROM (32-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A)
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32K X 8 EEPROM 5V, 85 ns, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28