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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.6 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.66 |
| 最长访问时间： | 100 ns | 命令用户界面： | NO |
| 数据轮询： | YES | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | 长度： | 35.6 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 页面大小： | 64 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.7 mm |
| 最大待机电流： | 0.00002 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | YES |
| 宽度： | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HN58C256AP-10E | RENESAS | 32KX8 EEPROM 5V, 100ns, PDIP28, 0.600 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-28 |
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| HN58C256AP-85 | HITACHI | 256k EEPROM (32-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A) |
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| HN58C256AP-85E | RENESAS | 32KX8 EEPROM 5V, 85ns, PDIP28, 0.600 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-28 |
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| HN58C256ASERIES | ETC | x8 EEPROM |
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| HN58C256ASERIESHN58C257ASERIES | ETC |
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| HN58C256AT-10 | HITACHI | 256k EEPROM (32-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A) |
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