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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.015 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.75 pF | 集电极-发射极最大电压： | 10 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HN3C09F | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN3C09FU | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN3C09FU(TE85L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,PAIR,NPN,12V V(BR)CEO,15MA I(C),TSOP |
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| HN3C10F | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN3C10FE | TOSHIBA |
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TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ES6, 6 PIN, BIP RF Small Signal |
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| HN3C10FE(TE85L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,BJT,PAIR,NPN,12V V(BR)CEO,80MA I(C),TSOP |
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| HN3C10FT | TOSHIBA |
获取价格 |
VHF-UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS |
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| HN3C10FU | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| HN3C10FU(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PAIR,NPN,12V V(BR)CEO,80MA I(C),TSOP |
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| HN3C11F | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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