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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SODIMM | 包装说明： | DIMM, DIMM200,24 |
| 针数： | 200 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.46 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.4 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 400 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XZMA-N200 |
| 长度： | 67.6 mm | 内存密度： | 8589934592 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE | 内存宽度： | 64 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 200 | 字数： | 134217728 words |
| 字数代码： | 128000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 65 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128MX64 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM200,24 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 3.8 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大待机电流： | 0.08 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 1.34 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.6 mm |
| 端子位置： | ZIG-ZAG | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 宽度： | 30 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HMP112S6EFR6C-S6 | HYNIX |
获取价格 |
200pin Unbuffered DDR2 SDRAM SO-DIMMs |
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| HMP112S6EFR6C-Y5 | HYNIX |
获取价格 |
200pin Unbuffered DDR2 SDRAM SO-DIMMs |
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| HMP112S6NFR8C-S6 | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX64, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
|
| HMP112U6EFR8C-C4 | HYNIX |
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1240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs |
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| HMP112U6EFR8C-S5 | HYNIX |
获取价格 |
1240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs |
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| HMP112U6EFR8C-S6 | HYNIX |
获取价格 |
1240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs |
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| HMP112U6EFR8C-Y5 | HYNIX |
获取价格 |
1240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs |
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| HMP112U7EFR8C-C4 | HYNIX |
获取价格 |
1240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs |
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| HMP112U7EFR8C-S5 | HYNIX |
获取价格 |
1240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs |
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| HMP112U7EFR8C-S6 | HYNIX |
获取价格 |
1240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs |
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