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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIMM | 包装说明： | DIMM, DIMM240,40 |
| 针数： | 240 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.36 |
| 风险等级： | 5.84 | 访问模式： | SINGLE BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.45 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 333 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B208 | 长度： | 133.35 mm |
| 内存密度： | 2147483648 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 240 |
| 字数： | 268435456 words | 字数代码： | 256000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 55 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装等效代码： | DIMM240,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 30 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.83 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 4.16 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 4 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HMP125P7EFR8C-C4 | HYNIX |
获取价格 |
240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs |
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| HMP125P7EFR8C-S5 | HYNIX |
获取价格 |
240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs |
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| HMP125P7EFR8C-S6 | HYNIX |
获取价格 |
240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs |
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| HMP125P7EFR8C-Y5 | HYNIX |
获取价格 |
240pin Registered DDR2 SDRAM DIMMs |
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| HMP125S6EFR8C-C4 | HYNIX |
获取价格 |
200pin Unbuffered DDR2 SDRAM SO-DIMMs |
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| HMP125S6EFR8C-S5 | HYNIX |
获取价格 |
200pin Unbuffered DDR2 SDRAM SO-DIMMs |
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| HMP125S6EFR8C-S6 | HYNIX |
获取价格 |
200pin Unbuffered DDR2 SDRAM SO-DIMMs |
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| HMP125S6EFR8C-Y5 | HYNIX |
获取价格 |
200pin Unbuffered DDR2 SDRAM SO-DIMMs |
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| HMP125S6NFR8C-S5 | HYNIX |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200 |
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| HMP125U6EFR8C-C4 | HYNIX |
获取价格 |
1240pin DDR2 SDRAM Unbuffered DIMMs |
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