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HMP125S6NFR8C-S5

更新时间： 2024-11-07 06:37:35

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海力士 - HYNIX		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	425K
描述
DDR DRAM Module, 256MX64, 0.4ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

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HMP125S6NFR8C-S5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MODULE	包装说明：	DIMM, DIMM200,24
针数：	200	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.55	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N200	JESD-609代码：	e1
长度：	67.6 mm	内存密度：	17179869184 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	200	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	65 °C	最低工作温度：
组织：	256MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM200,24	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	3.8 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.16 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	2.24 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.6 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	30 mm
Base Number Matches：	1

HMP125S6NFR8C-S5 数据手册

200pin Unbuffered DDR2 SDRAM SO-DIMMs based on 1Gb version N

This Hynix unbuffered Small Outline Dual In-Line Memory Module(DIMM) series consists of 1Gb version N DDR2

SDRAMs in Fine Ball Grid Array(FBGA) packages on a 200pin glass-epoxy substrate. This Hynix 1Gb version N based

Unbuffered DDR2 SO-DIMM series provide a high performance 8 byte interface in 67.60mm width form factor of indus-

try standard. It is suitable for easy interchange and addition.

FEATURES

•

JEDEC standard Double Data Rate 2 Synchronous

DRAMs (DDR2 SDRAMs) with 1.8V +/- 0.1V Power

Supply

•

Programmable Burst Length 4 / 8 with both

sequential and interleave mode

•

Auto refresh and self refresh supported

8192 refresh cycles / 64ms

•

All inputs and outputs are compatible with SSTL_1.8

interface

Serial presence detect with EEPROM

DDR2 SDRAM Package: 60 ball(x8) FBGA

67.60 x 30.00 mm form factor

RoHS compliant

•

Posted CAS

Programmable CAS Latency 3 ,4 ,5, and 6

OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment) and

ODT (On-Die Termination)

•

Fully differential clock operations (CK & CK)

ORDERING INFORMATION

# of

DRAMs

# of

ranks

Part Name

Density

Organization

Materials

HMP112S6NFR8C-Y5/S5/S6

HMP125S6NFR8C-Y5/S5/S6

1GB

2GB

128Mx64

256Mx64

Halogen free

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.1 / Feb. 2010

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