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HM1-6516B-9

更新时间： 2024-01-26 14:13:50
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 内存集成电路静态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
6页 35K
描述
2K x 8 CMOS RAM

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HM1-6516B-9 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.92最长访问时间：120 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-XDIP-T24
JESD-609代码：e0内存密度：16384 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
端子数量：24字数：2048 words
字数代码：2000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：CERAMIC封装代码：DIP
封装等效代码：DIP24,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
最大待机电流：0.000025 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.034 mA
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

HM1-6516B-9 数据手册

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HM-6516  
2K x 8 CMOS RAM  
March 1997  
Features  
Description  
• Low Power Standby. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 275µW Max The HM-6516 is a CMOS 2048 x 8 Static Random Access  
Memory. Extremely low power operation is achieved by the  
use of complementary MOS design techniques. This low  
• Low Power Operation . . . . . . . . . . . . . 55mW/MHz Max  
power is further enhanced by the use of synchronous circuit  
techniques that keep the active (operating) power low, which  
also gives fast access times. The pinout of the HM-6516 is  
the popular 24 pin, 8-bit wide JEDEC standard, which allows  
easy memory board layouts, flexible enough to accommo-  
date a variety of PROMs, RAMS, EPROMs, and ROMs.  
• Fast Access Time. . . . . . . . . . . . . . . . . . 120/200ns Max  
• Industry Standard Pinout  
• Single Supply . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0V V  
• TTL Compatible  
CC  
• Static Memory Cells  
The HM-6516 is ideally suited for use in microprocessor  
based systems. The byte wide organization simplifies the  
memory array design, and keeps operating power down to a  
minimum, because only one device is enabled at a time. The  
address latches allow very simple interfacing to recent gen-  
• High Output Drive  
• On-Chip Address Latches  
• Easy Microprocessor Interfacing  
eration microprocessors which employ  
a multiplexed  
address/data bus. The convenient output enable control also  
simplifies multiplexed bus interfacing by allowing the data  
outputs to be controlled independent of the chip enable.  
Ordering Information  
120ns  
HM1-6516B-9  
200ns  
HM1-6516-9  
TEMP. RANGE  
PACKAGE  
CERDIP  
PKG. NO.  
o
o
-40 C to +85 C  
F24.6  
F24.6  
F24.6  
J32.A  
J32.A  
o
o
-
29102BJA  
-55 C to +125 C  
JAN#  
o
o
8403607JA  
8403601JA  
HM4-6516-9  
8403601ZA  
-55 C to +125 C  
SMD#  
o
o
-
-40 C to +85 C  
CLCC  
SMD#  
o
o
8403607ZA  
-55 C to +125 C  
Pinouts  
HM-6516  
(CERDIP)  
TOP VIEW  
HM-6516  
(CLCC)  
TOP VIEW  
PIN  
DESCRIPTION  
No Connect  
1
4
3
2
32 31 30  
1
2
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
A7  
A6  
V
CC  
NC  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
A8  
A9  
NC  
A6  
A5  
5
6
A8  
3
A5  
A9  
A0 - A10 Address Inputs  
4
W
A4  
A4  
A3  
7
8
E
Chip Enable/Power Down  
5
A3  
G
W
6
A2  
A10  
E
V
/GND Ground  
G
A2  
9
SS  
7
A1  
A1  
A10  
E
10  
11  
12  
13  
8
DQ0 - DQ7 Data In/Data Out  
A0  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
A0  
9
DQ0  
DQ1  
DQ2  
GND  
V
Power (+5V)  
Write Enable  
Output Enable  
CC  
10  
11  
12  
NC  
DQ0  
DQ7  
W
G
21 DQ6  
14  
15 16 17 18 19 20  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
File Number 2998.1  
http://www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 19996-1  
123456

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与HM1-6516B-9相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HM1-6518/883 INTERSIL

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 		1024 x 1 CMOS RAM
HM1-6518-8 RENESAS

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 		Standard SRAM, 1KX1, 250ns, CMOS, CDIP18
HM1-6518883 INTERSIL

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 		1024 x 1 CMOS RAM
HM1-65231-2 TEMIC

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 		Multi-Port SRAM, 2KX8, 85ns, CMOS, CDIP48,
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 		Multi-Port SRAM, 2KX8, 85ns, CMOS, CDIP48,
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HM1-65262/883 INTERSIL

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HM1-65262-2 TEMIC

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 		Standard SRAM, 16KX1, 85ns, CMOS, CDIP20,
HM1-65262-8 ETC

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 		x1 SRAM
HM1-65262-9 INTERSIL

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 		16K x 1 Asynchronous CMOS Static RAM

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