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HM1-65262-8

更新时间: 2024-01-04 16:45:58
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 424K
描述
x1 SRAM

HM1-65262-8 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.86
最长访问时间:85 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-XDIP-T20JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1端子数量:20
字数:16384 words字数代码:16000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:16KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP20,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-STD-883 Class B (Modified)
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.05 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HM1-65262-8 数据手册

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