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HM1-6551B-8

更新时间: 2024-01-15 12:51:33
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其他 - ETC 静态存储器
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9页 596K
描述
x4 Synchronous SRAM

HM1-6551B-8 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIP, DIP22,.4
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.71
最长访问时间:220 nsJESD-30 代码:R-XDIP-T22
内存密度:1024 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:22
字数:256 words字数代码:256
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:256X4
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP22,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.00001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.007 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HM1-6551B-8 数据手册

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