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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | CERAMIC, DIP-18 |
| 针数： | 18 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.88 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 300 ns | JESD-30 代码： | R-GDIP-T18 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1024 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 18 |
| 字数： | 256 words | 字数代码： | 256 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 256X4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP18,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.0063 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM1-6561-5 | RENESAS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X4, 360ns, CMOS, CDIP18 |
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| HM1-6561883 | INTERSIL |
获取价格 |
256 x 4 CMOS RAM |
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| HM1-6561-9 | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X4, 300ns, CMOS, CDIP18 |
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| HM1-6561B/883 | INTERSIL |
获取价格 |
256 x 4 CMOS RAM |
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| HM1-6561B/883 | RENESAS |
获取价格 |
256X4 STANDARD SRAM, 220ns, CDIP18 |
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| HM1-6561B883 | INTERSIL |
获取价格 |
256 x 4 CMOS RAM |
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| HM1-6561B-9 | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 256X4, 220ns, CMOS, CDIP18 |
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| HM1-65641-2 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CDIP28, |
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| HM1-65641-5 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, |
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| HM1-65641-5+ | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, |
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