是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | CERAMIC, DIP-18 |
针数: | 18 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.88 | 最长访问时间: | 220 ns |
其他特性: | ADDRESS LATCH; LOW POWER STANDBY MODE; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS | JESD-30 代码: | R-GDIP-T18 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 1024 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 18 | 字数: | 256 words |
字数代码: | 256 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 256X4 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP18,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流: | 0.00001 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.0072 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HM1-6561B883 | INTERSIL |
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256 x 4 CMOS RAM | |
HM1-6561B-9 | ROCHESTER |
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Standard SRAM, 256X4, 220ns, CMOS, CDIP18 | |
HM1-65641-2 | TEMIC |
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Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CDIP28, | |
HM1-65641-5 | TEMIC |
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Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, | |
HM1-65641-5+ | TEMIC |
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Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, | |
HM1-65641-9 | TEMIC |
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Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CDIP28, | |
HM1-65641-9+ | TEMIC |
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Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CDIP28, | |
HM1-65641B-2 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, | |
HM1-65641B-5 | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, | |
HM1-65641B-5+ | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, |