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HM1-6543-9

更新时间: 2024-01-27 00:07:41
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瑞萨 - RENESAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 322K
描述
HM1-6543-9

HM1-6543-9 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP22,.4Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:400 ns
JESD-30 代码:R-XDIP-T22JESD-609代码:e0
内存密度:4096 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1端子数量:22
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP22,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HM1-6543-9 数据手册

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