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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.11 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS, ULTRA FAST | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 24 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 275000000000 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 104 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 540 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 74 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HGTP12N60C3_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, |
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| HGTP12N60C3D | INTERSIL |
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24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes |
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| HGTP12N60C3D | FAIRCHILD |
获取价格 |
24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes |
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| HGTP12N60C3D | ONSEMI |
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600V, UFS IGBT |
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| HGTP12N60C3D_NL | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, LEAD FREE |
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| HGTP12N60C3DR | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB |
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| HGTP12N60C3DR | RENESAS |
获取价格 |
24A, 600V, N-CHANNEL IGBT |
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| HGTP12N60C3R | ROCHESTER |
获取价格 |
24A, 600V, N-CHANNEL IGBT, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| HGTP12N60C3R | RENESAS |
获取价格 |
24A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
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| HGTP12N60C3R | FAIRCHILD |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB |
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