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HGTD1N120CNS

更新时间： 2024-01-03 05:42:31
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
7页 80K
描述
6.2A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

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HGTD1N120CNS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.07
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：6.2 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：450 ns
门极发射器阈值电压最大值：7.1 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：15 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：430 ns标称接通时间 (ton)：26 ns
Base Number Matches：1

HGTD1N120CNS 数据手册

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HGTD1N120CNS, HGTP1N120CN  
Data Sheet  
January 2000  
File Number 4652.2  
6.2A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT  
Features  
o
The HGTD1N120CNS, and the HGTP1N120CN are  
Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new  
members of the MOS gated high voltage switching IGBT  
family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and  
bipolar transistors. These devices have the high input  
impedance of a MOSFET and the low on-state conduction  
loss of a bipolar transistor.  
• 6.2A, 1200V, T = 25 C  
C
• 1200V Switching SOA Capability  
• Typical E . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200µJ at T = 150 C  
o
OFF  
J
• Short Circuit Rating  
• Low Conduction Loss  
• Avalanche Rated  
The IGBT is ideal for many high voltage switching  
applications operating at moderate frequencies where low  
conduction losses are essential, such as: AC and DC motor  
controls, power supplies and drivers for solenoids, relays  
and contactors.  
• Temperature Compensating SABER™ Model  
Thermal Impedance SPICE Model  
www.intersil.com  
• Related Literature  
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount  
Components to PC Boards”  
Formerly Developmental Type TA49317.  
Ordering Information  
Packaging  
PART NUMBER  
HGTD1N120CNS  
HGTP1N120CN  
PACKAGE  
TO-252AA  
TO-220AB  
BRAND  
1N120C  
1N120CN  
JEDEC TO-220AB  
E
C
G
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix 9A  
to obtain the TO-252AA in tape and reel, i.e. HGTD1N120CNS9A  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
Symbol  
C
JEDEC TO-252AA  
G
COLLECTOR  
(FLANGE)  
G
E
E
INTERSIL CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS  
4,364,073  
4,598,461  
4,682,195  
4,803,533  
4,888,627  
4,417,385  
4,605,948  
4,684,413  
4,809,045  
4,890,143  
4,430,792  
4,620,211  
4,694,313  
4,809,047  
4,901,127  
4,443,931  
4,631,564  
4,717,679  
4,810,665  
4,904,609  
4,466,176  
4,639,754  
4,743,952  
4,823,176  
4,933,740  
4,516,143  
4,639,762  
4,783,690  
4,837,606  
4,963,951  
4,532,534  
4,641,162  
4,794,432  
4,860,080  
4,969,027  
4,587,713  
4,644,637  
4,801,986  
4,883,767  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.  
1-888-INTERSIL or 321-724-7143 | Copyright © Intersil Corporation 2000  
SABER™ is a trademark of Analogy, Inc.  
1
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与HGTD1N120CNS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGTD1N120CNS9A ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 6.2A I(C) | TO-252AA
HGTD2N120BNS INTERSIL

获取价格

 		12A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTD2N120BNS9A ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 12A I(C) | TO-252AA
HGTD2N120CNS FAIRCHILD

获取价格

 		13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTD2N120CNS INTERSIL

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 		13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTD2N120CNS9A RENESAS

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 		13A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
HGTD3N60A4 FAIRCHILD

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 		600V, SMPS Series N-Channel IGBT
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 		600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTD3N60A4S INTERSIL

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 		600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTD3N60A4S ROCHESTER

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 		17A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN

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