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HGTD3N60A4

更新时间： 2024-01-09 06:39:49

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	185K
描述
600V, SMPS Series N-Channel IGBT

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HGTD3N60A4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	TO-252AA, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.1
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	17 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	100 ns
门极发射器阈值电压最大值：	7 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	70 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	15 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	180 ns	标称接通时间 (ton)：	17.5 ns
Base Number Matches：	1

HGTD3N60A4 数据手册

HGTD3N60A4S, HGTP3N60A4

Data Sheet

August 2003

600V, SMPS Series N-Channel IGBT

Features

The HGTD3N60A4S and the HGTP3N60A4 are MOS gated

high voltage switching devices combining the best features

of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the

high input impedance of a MOSFET and the low on-state

conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-

• >100kHz Operation at 390V, 3A

• 200kHz Operation at 390V, 2.5A

• 600V Switching SOA Capability

• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . . 70ns at T = 125 C

state voltage drop varies only moderately between 25 C and

• 12mJ E Capability

150 C.

• Low Conduction Loss

This IGBT is ideal for many high voltage switching

applications operating at high frequencies where low

conduction losses are essential. This device has been

optimized for high frequency switch mode power

supplies.

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Formerly Developmental Type TA49327.

Ordering Information

Packaging

JEDEC TO-252AA

PART NUMBER

HGTD3N60A4S

HGTP3N60A4

PACKAGE

TO-252AA

TO-220AB

BRAND

3N60A4

NOTE: When ordering, use the entire part number.

COLLECTOR

(FLANGE)

Symbol

JEDEC TO-220AB

COLLECTOR

(FLANGE)

FAIRCHILD CORPORATION IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS

4,364,073

4,598,461

4,682,195

4,803,533

4,888,627

4,417,385

4,605,948

4,684,413

4,809,045

4,890,143

4,430,792

4,620,211

4,694,313

4,809,047

4,901,127

4,443,931

4,631,564

4,717,679

4,810,665

4,904,609

4,466,176

4,639,754

4,743,952

4,823,176

4,933,740

4,516,143

4,639,762

4,783,690

4,837,606

4,963,951

4,532,534

4,641,162

4,794,432

4,860,080

4,969,027

4,587,713

4,644,637

4,801,986

4,883,767

HGTD3N60A4S, HGTP3N60A4 Rev. B1

12 3 4 5 6 7 8

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与HGTD3N60A4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTD3N60A4S	FAIRCHILD	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTD3N60A4S	INTERSIL	获取价格	600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTD3N60A4S	ROCHESTER	获取价格	17A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN
HGTD3N60A4S9A	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
HGTD3N60B3	ROCHESTER	获取价格	7A, 600V, N-CHANNEL IGBT, PLASTIC PACKAGE-3
HGTD3N60B3S	INTERSIL	获取价格	7A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGTD3N60B3S	ROCHESTER	获取价格	7A, 600V, N-CHANNEL IGBT, PLASTIC PACKAGE-4
HGTD3N60B3S9A	ROCHESTER	获取价格	7A, 600V, N-CHANNEL IGBT, PLASTIC PACKAGE-4
HGTD3N60B3S9A	RENESAS	获取价格	7A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
HGTD3N60C3	HARRIS	获取价格	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

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