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HGTD3N60A4S

更新时间： 2024-01-28 12:11:26

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		瞄准线双极性晶体管功率控制
页数	文件大小	规格书
9页	869K
描述
17A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA, TO-252AA, 3 PIN

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HGTD3N60A4S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	TO-252AA, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.1
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	17 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	100 ns
门极发射器阈值电压最大值：	7 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	70 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	15 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	180 ns	标称接通时间 (ton)：	17.5 ns
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HGTD3N60A4S9A	FAIRCHILD	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 17A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
HGTD3N60B3	ROCHESTER	获取价格	7A, 600V, N-CHANNEL IGBT, PLASTIC PACKAGE-3
HGTD3N60B3S	INTERSIL	获取价格	7A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGTD3N60B3S	ROCHESTER	获取价格	7A, 600V, N-CHANNEL IGBT, PLASTIC PACKAGE-4
HGTD3N60B3S9A	ROCHESTER	获取价格	7A, 600V, N-CHANNEL IGBT, PLASTIC PACKAGE-4
HGTD3N60B3S9A	RENESAS	获取价格	7A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
HGTD3N60C3	HARRIS	获取价格	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGTD3N60C3S	FAIRCHILD	获取价格	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGTD3N60C3S	INTERSIL	获取价格	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs
HGTD3N60C3S	HARRIS	获取价格	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs