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HGTD1N120CNS9A PDF预览

HGTD1N120CNS9A

更新时间： 2024-01-20 09:04:49
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 104K
描述
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 6.2A I(C) | TO-252AA

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HGTD1N120CNS9A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.07其他特性：LOW CONDUCTION LOSS, AVALANCHE RATED
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：6.2 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：450 ns门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：60 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：15 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：540 ns标称接通时间 (ton)：24 ns
Base Number Matches：1

HGTD1N120CNS9A 数据手册

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HGTD1N120CNS, HGTP1N120CN  
Data Sheet  
December 2001  
6.2A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT  
Features  
o
The HGTD1N120CNS, and the HGTP1N120CN are  
Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new  
members of the MOS gated high voltage switching IGBT  
family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and  
bipolar transistors. These devices have the high input  
impedance of a MOSFET and the low on-state conduction  
loss of a bipolar transistor.  
• 6.2A, 1200V, T = 25 C  
C
• 1200V Switching SOA Capability  
o
• Typical E  
OFF  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . 200µJ at T = 150 C  
J
• Short Circuit Rating  
• Low Conduction Loss  
• Avalanche Rated  
The IGBT is ideal for many high voltage switching  
applications operating at moderate frequencies where low  
conduction losses are essential, such as: AC and DC motor  
controls, power supplies and drivers for solenoids, relays  
and contactors.  
• Temperature Compensating SABER™ Model  
Thermal Impedance SPICE Model  
www.fairchildsemi.com  
• Related Literature  
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount  
Components to PC Boards”  
Formerly Developmental Type TA49317.  
Ordering Information  
Packaging  
PART NUMBER  
HGTD1N120CNS  
HGTP1N120CN  
PACKAGE  
TO-252AA  
TO-220AB  
BRAND  
1N120C  
1N120CN  
JEDEC TO-220AB  
E
C
G
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix 9A  
to obtain the TO-252AA in tape and reel, i.e. HGTD1N120CNS9A  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
Symbol  
C
JEDEC TO-252AA  
COLLECTOR  
G
(FLANGE)  
G
E
E
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS  
4,364,073  
4,598,461  
4,682,195  
4,803,533  
4,888,627  
4,417,385  
4,605,948  
4,684,413  
4,809,045  
4,890,143  
4,430,792  
4,620,211  
4,694,313  
4,809,047  
4,901,127  
4,443,931  
4,631,564  
4,717,679  
4,810,665  
4,904,609  
4,466,176  
4,639,754  
4,743,952  
4,823,176  
4,933,740  
4,516,143  
4,639,762  
4,783,690  
4,837,606  
4,963,951  
4,532,534  
4,641,162  
4,794,432  
4,860,080  
4,969,027  
4,587,713  
4,644,637  
4,801,986  
4,883,767  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HGTD1N120CNS, HGTP1N120CN Rev. B  
12345678

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与HGTD1N120CNS9A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGTD2N120BNS INTERSIL

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 		12A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTD2N120BNS9A ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 12A I(C) | TO-252AA
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