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Datasheet > 晶体管 > IGBT> HGTD1N120BNS9A
HGTD1N120BNS9A PDF预览

HGTD1N120BNS9A

更新时间： 2024-01-25 21:34:14
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 99K
描述
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 2.7A I(C) | TO-252AA

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HGTD1N120BNS9A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.15
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：5.3 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：300 ns
门极发射器阈值电压最大值：7.1 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：14 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：293 ns标称接通时间 (ton)：26 ns
Base Number Matches：1

HGTD1N120BNS9A 数据手册

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HGTD1N120BNS, HGTP1N120BN  
Data Sheet  
January 2001  
5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT  
Features  
o
The HGTD1N120BNS and HGTP1N120BN are Non-Punch  
Through (NPT) IGBT designs.They are new members of the  
MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs  
combine the best features of MOSFETs and bipolar  
transistors. This device has the high input impedance of a  
MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar  
transistor.  
• 5.3A, 1200V, T = 25 C  
C
• 1200V Switching SOA Capability  
o
• Typical E  
OFF  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . 120µJ at T = 150 C  
J
• Short Circuit Rating  
• Low Conduction Loss  
• Avalanche Rated  
The IGBT is ideal for many high voltage switching  
applications operating at moderate frequencies where low  
conduction losses are essential, such as: AC and DC motor  
controls, power supplies and drivers for solenoids, relays  
and contactors.  
• Temperature Compensating SABER™ Model  
Thermal Impedance SPICE Model  
www.fairchildsemi.com  
• Related Literature  
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount  
Components to PC Boards”  
Formerly Developmental Type TA49316.  
Ordering Information  
Packaging  
PART NUMBER  
HGTD1N120BNS  
HGTP1N120BN  
PACKAGE  
TO-252AA  
TO-220AB  
BRAND  
1N120B  
1N120BN  
JEDEC TO-220AB  
E
C
G
NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix 9A  
to obtain the TO-252AA in tape and reel, i.e. HGTD1N120BNS9A  
COLLECTOR  
(FLANGE)  
Symbol  
C
JEDEC TO-252AA  
COLLECTOR  
G
(FLANGE)  
G
E
E
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR IGBT PRODUCT IS COVERED BY ONE OR MORE OF THE FOLLOWING U.S. PATENTS  
4,364,073  
4,598,461  
4,682,195  
4,803,533  
4,888,627  
4,417,385  
4,605,948  
4,684,413  
4,809,045  
4,890,143  
4,430,792  
4,620,211  
4,694,313  
4,809,047  
4,901,127  
4,443,931  
4,631,564  
4,717,679  
4,810,665  
4,904,609  
4,466,176  
4,639,754  
4,743,952  
4,823,176  
4,933,740  
4,516,143  
4,639,762  
4,783,690  
4,837,606  
4,963,951  
4,532,534  
4,641,162  
4,794,432  
4,860,080  
4,969,027  
4,587,713  
4,644,637  
4,801,986  
4,883,767  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
HGTD1N120BNS, HGTP1N120BN Rev. B  
12345678

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HGTD1N120BNS9A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HGTD1N120BNS9A ONSEMI

类似代替

 IGBT，1200V，NPT

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