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HGT1S12N60C3

更新时间： 2024-01-05 21:37:04
品牌 Logo 应用领域
哈里斯 - HARRIS 晶体晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
6页 135K
描述
24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

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HGT1S12N60C3 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5Is Samacsys：N
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：24 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：275 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：104 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：480 ns
标称接通时间 (ton)：30 nsBase Number Matches：1

HGT1S12N60C3 数据手册

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HGTP12N60C3, HGT1S12N60C3, HGT1S12N60C3S  
Typical Performance Curves (Continued)  
100  
80  
60  
40  
20  
0
200  
100  
o
o
T
= 150 C, T = 75 C  
C
o
J
T
= 150 C, V = 15V, R = 25Ω, L = 100µH  
GE G  
J
R
= 25Ω, L = 100µH  
G
V
= 10V  
GE  
V
= 15V  
GE  
LIMITED BY  
CIRCUIT  
f
f
= 0.05/(t  
D(OFF)I  
= (P - P )/(E  
ON  
+ t )  
D(ON)I  
MAX1  
10  
+ E  
)
OFF  
MAX2  
D
C
P
P
= ALLOWABLE DISSIPATION  
D
C
= CONDUCTION DISSIPATION  
(DUTY FACTOR = 50%)  
o
R
= 1.2 C/W  
θJC  
1
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
5
10  
20  
30  
I
, COLLECTOR-EMITTER CURRENT (A)  
V
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (V)  
CE(PK)  
CE  
FIGURE 13. OPERATING FREQUENCY AS A FUNCTION OF  
COLLECTOR-EMITTER CURRENT  
FIGURE 14. SWITCHING SAFE OPERATING AREA  
o
I
REF = 1.276mA, R = 50Ω, T = 25 C  
2500  
G
L
C
600  
15  
12  
9
FREQUENCY = 1MHz  
C
IES  
2000  
1500  
1000  
500  
0
480  
360  
240  
120  
0
V
= 600V  
CE  
6
V
= 400V  
CE  
V
= 200V  
CE  
3
C
OES  
C
RES  
0
0
5
10  
15  
20  
25  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
V
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (V)  
Q
, GATE CHARGE (nC)  
CE  
G
FIGURE 15. CAPACITANCE AS A FUNCTION OF COLLECTOR-  
EMITTER VOLTAGE  
FIGURE 16. GATE CHARGE WAVEFORMS  
0
10  
0.5  
0.2  
0.1  
t
1
-1  
P
10  
D
0.05  
t
2
0.02  
0.01  
DUTY FACTOR, D = t / t  
1
2
PEAK T = (P X Z  
X R  
) + T  
JC C  
SINGLE PULSE  
J
D
JC  
θ
θ
-2  
10  
-5  
-4  
-3  
-2  
-1  
1
0
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
t , RECTANGULAR PULSE DURATION (s)  
1
FIGURE 17. IGBT NORMALIZED TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION TO CASE  
3-33  
123456

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与HGT1S12N60C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HGT1S12N60C3D RENESAS

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 		TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN+DIODE,600V V(BR)CES,24A I(C),TO-262AA
HGT1S12N60C3DRS9A RENESAS

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
HGT1S12N60C3DS INTERSIL

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 		24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGT1S12N60C3DS FAIRCHILD

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 		24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGT1S12N60C3DS9A ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 12A I(C) | TO-263AB
HGT1S12N60C3DST ETC

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HGT1S12N60C3R ROCHESTER

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