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Datasheet > HGT1S12N60B3S9A
HGT1S12N60B3S9A PDF预览

HGT1S12N60B3S9A

更新时间： 2024-02-18 10:29:30
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管双极性晶体管
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8页 267K
描述
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 12A I(C) | TO-263AB

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HGT1S12N60B3S9A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.01其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：27 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：104 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：392 ns
标称接通时间 (ton)：45 nsBase Number Matches：1

HGT1S12N60B3S9A 数据手册

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HGTG12N60B3, HGTP12N60B3, HGT1S12N60B3S  
Typical Performance Curves Unless Otherwise Specified (Continued)  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
150  
125  
100  
75  
R
= 25Ω, L = 1mH, V  
= 480V  
CE  
R
= 25Ω, L = 1mH, V  
= 480V  
CE  
G
G
o
o
T
= 25 C, T = 150 C, V  
= 10V  
GE  
J
J
o
o
T
= 25 C, T = 150 C, V = 10V  
GE  
J
J
o
o
T
= 25 C, T = 150 C, V  
= 15V  
J
J
GE  
50  
25  
o
o
T
= 25 C and T = 150 C, V = 15V  
J
J
GE  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
5
10  
15  
20  
25  
30  
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)  
I
CE  
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)  
CE  
FIGURE 9. TURN-ON DELAY TIME vs COLLECTOR TO  
EMITTER CURRENT  
FIGURE 10. TURN-ON RISE TIME vs COLLECTOR TO  
EMITTER CURRENT  
300  
140  
R
= 25  
Ω
, L = 1mH, V = 480V  
R
= 25  
Ω
, L = 1mH, V = 480V  
G
CE  
G
CE  
130  
120  
275  
250  
225  
200  
175  
150  
125  
100  
110  
100  
o
T
= 150 C, V  
= 10V, V  
= 15V  
= 15V  
o
J
GE  
GE  
T
= 150 C, V = 10V, V = 15V  
GE GE  
J
o
T
= 25 C, V  
= 10V, V  
J
GE GE  
90  
80  
70  
60  
o
T
= 25 C, V = 10V OR 15V  
GE  
J
5
10  
15  
20  
25  
30  
5
10  
15  
20  
25  
30  
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)  
CE  
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)  
CE  
FIGURE 11. TURN-OFF DELAY TIME vs COLLECTOR TO  
EMITTER CURRENT  
FIGURE 12. FALL TIME vs COLLECTOR TO EMITTER  
CURRENT  
15  
180  
o
I
= 1mA, R = 25  
Ω
, T = 25 C  
g (REF)  
L
C
o
DUTY CYCLE <0.5%, V  
= 10V  
s
CE  
PULSE DURATION = 250  
T
= -55 C  
C
µ
160  
140  
120  
100  
80  
o
T
= 25 C  
12  
9
C
V
= 600V  
CE  
o
T
= 150 C  
C
6
V
= 200V  
V
= 400V  
CE  
CE  
60  
40  
3
20  
0
0
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
50  
4
5
6
7
8
9
10  
11 12  
13  
14 15  
Q , GATE CHARGE (nC)  
V
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)  
g
GE  
FIGURE 13. TRANSFER CHARACTERISTIC  
FIGURE 14. GATE CHARGE WAVEFORM  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
HGTG12N60B3, HGTP12N60B3, HGT1S12N60B3S Rev. C  
12345678

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