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H5MS1262EFP-L3E

更新时间： 2024-02-21 05:16:18

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H5MS1262EFP-L3E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA60,9X10,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
JESD-609代码：	e1	长度：	10 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	8MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA60,9X10,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

128Mbit MOBILE DDR SDRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O

Specification of

128M (8Mx16bit) Mobile DDR SDRAM

Memory Cell Array

- Organized as 4banks of 2,097,152 x16

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev 1.1 / July. 2009

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
H5MS1262EFP-L3M	HYNIX	获取价格	128M (8Mx16bit) Mobile DDR SDRAM
H5MS1G22MFP-E3M	HYNIX	获取价格	1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x32 I/O
H5MS1G22MFP-J3M	HYNIX	获取价格	1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x32 I/O
H5MS1G22MFP-K3M	HYNIX	获取价格	1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x32 I/O
H5MS1G22MFP-L3M	HYNIX	获取价格	1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x32 I/O
H5MS1G32MFP-E3M	HYNIX	获取价格	1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x32 I/O
H5MS1G32MFP-J3M	HYNIX	获取价格	1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x32 I/O
H5MS1G32MFP-K3M	HYNIX	获取价格	1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x32 I/O
H5MS1G32MFP-L3M	HYNIX	获取价格	1Gbit MOBILE DDR SDRAM based on 8M x 4Bank x32 I/O
H5MS1G62AFR-E3M	HYNIX	获取价格	DDR DRAM, 64MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60