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H5DU2582GTR-FAI

更新时间: 2024-11-20 13:08:07
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海力士 - HYNIX 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
28页 378K
描述
DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

H5DU2582GTR-FAI 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSSOP, TSSOP66,.46
针数:66Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.84Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.65 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):250 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66JESD-609代码:e6
长度:22.225 mm内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP66,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.194 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.004 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.22 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Bismuth (Sn98Bi2)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:10.155 mmBase Number Matches:1

H5DU2582GTR-FAI 数据手册

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H5DU2582GTR  
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 1.1 / Sep. 2009  
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