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H5DU2582GTR-FA

更新时间: 2024-11-20 21:05:11
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海力士 - HYNIX 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 376K
描述
DDR DRAM, 32MX8, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

H5DU2582GTR-FA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2,
针数:66Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.84访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G66
长度:22.22 mm内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.194 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.15 mm
Base Number Matches:1

H5DU2582GTR-FA 数据手册

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This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 1.0 / Jul. 2009  
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