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H5DU2562GTR-FAC

更新时间: 2024-11-05 15:33:39
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海力士 - HYNIX 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 265K
描述
DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

H5DU2562GTR-FAC 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSSOP, TSSOP66,.46
针数:66Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.79访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.65 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):250 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G66
JESD-609代码:e6长度:22.225 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:66
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP66,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.194 mm自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8最大待机电流:0.004 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.22 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Bismuth (Sn98Bi2)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:10.155 mm
Base Number Matches:1

H5DU2562GTR-FAC 数据手册

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This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any  
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.  
Rev. 1.4 / Aug. 2011  
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