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GT30J101

更新时间： 2024-01-29 12:52:17

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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描述
Silicon N Channel IGBT

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GT30J101 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.22
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	300 ns
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	155 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	700 ns
标称接通时间 (ton)：	400 ns	Base Number Matches：	1

GT30J101 数据手册

GT30J101

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor

Silicon N Channel IGBT

Preliminary

GT30J101

High Power Switching Applications

Unit: mm

•

The 3rd Generation

Enhancement-Mode

High Speed: t = 0.30 µs (max)

Low Saturation Voltage: V

CE (sat)

= 2.7 V (max)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-emitter voltage

Gate-emitter voltage

600

±20

CES

GES

Collector current

1 ms

Collector power dissipation

(Tc = 25°C)

155

Junction temperature

Storage temperature range

150

°C

JEDEC

―

−55~150

stg

JEITA

TOSHIBA

Weight: 4.6 g

2-16C1C

2002-01-18

12 3 4 5 6

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