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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.22 | 其他特性： | HIGH SPEED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 30 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 400 ns |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 400 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 300 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT30J324 | TOSHIBA |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT |
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| GT30J324(Q) | TOSHIBA |
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IGBT DUAL 600V 30A TO-3PN |
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| GT30J324_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
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| GT30J341 | TOSHIBA |
获取价格 |
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
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| GT30J341,Q | TOSHIBA |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
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| GT30N135SRA | TOSHIBA |
获取价格 |
1350 V/30 A IGBT, Built-in Diodes, TO-247 |
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| GT3-16DP-2.5DSA | HRS |
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Antenna, Sensor, and Communications Trunk Line Connections |
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| GT3-16DP-2.5DSA(70) | HRS |
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Board Connector, 16 Contact(s), 2 Row(s), Male, Straight, 0.098 inch Pitch, Solder Termina |
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| GT320 | CDE |
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Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 3000V, 5% +Tol, 5% -Tol, SL, 500ppm/Cel TC, 0.0002 |
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| GT3200 | SMSC |
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USB2.0 PJY IC |
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