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GT30J301

更新时间: 2024-09-26 22:32:55
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东芝 - TOSHIBA 开关电动机控制双极性晶体管高功率电源
页数 文件大小 规格书
6页 328K
描述
N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

GT30J301 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.24其他特性:HIGH SPEED
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):30 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):300 ns门极发射器阈值电压最大值:8 V
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):240极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:155 W最大功率耗散 (Abs):155 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):700 ns标称接通时间 (ton):400 ns
VCEsat-Max:2.7 VBase Number Matches:1

GT30J301 数据手册

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