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GT30J121

更新时间： 2024-02-03 20:57:55

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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描述
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

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GT30J121 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.22	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	170 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	430 ns	标称接通时间 (ton)：	240 ns
Base Number Matches：	1

GT30J121 数据手册

GT30J121

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

GT30J121

High Power Switching Applications

Fast Switching Applications

Unit: mm

•

The 4th generation

Enhancement-mode

Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)

High speed: t = 0.05 µs (typ.)

Low switching loss: E = 1.00 mJ (typ.)

: E = 0.80 mJ (typ.)

off

•

Low saturation voltage: V = 2.0 V (typ.)

CE (sat)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-emitter voltage

Gate-emitter voltage

600

±20

CES

GES

JEDEC

―

Collector current

1 ms

JEITA

Collector power dissipation

(Tc = 25°C)

170

TOSHIBA

2-16C1C

Junction temperature

150

°C

Weight: 4.6 g (typ.)

Storage temperature range

−55 to 150

stg

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Thermal resistance

0.735

°C/W

th (j-c)

2002-04-19

12 3 4 5 6

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