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GT25Q301

更新时间: 2024-11-19 22:11:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关电动机控制双极性晶体管高功率电源
页数 文件大小 规格书
7页 172K
描述
N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

GT25Q301 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.22其他特性:HIGH SPEED
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):25 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf):320 ns门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):200 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):680 ns标称接通时间 (ton):300 ns
Base Number Matches:1

GT25Q301 数据手册

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GT25Q301  
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT  
GT25Q301  
High Power Switching Applications  
Motor Control Applications  
Unit: mm  
·
·
·
·
·
The 3rd generation  
Enhancement-mode  
High speed: t = 0.32 µs (max)  
f
Low saturation voltage: V  
FRD included between emitter and collector  
= 2.7 V (max)  
CE (sat)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Gate-emitter voltage  
V
V
1200  
±20  
25  
V
V
CES  
GES  
DC  
Collector current  
1 ms  
I
C
A
A
I
50  
CP  
JEDEC  
JEITA  
DC  
Diode forward current  
1 ms  
I
25  
F
I
50  
FP  
Collector power dissipation  
(Tc = 25°C)  
TOSHIBA  
2-21F2C  
P
200  
W
C
Weight: 9.75 g (typ.)  
Junction temperature  
Storage temperature range  
T
150  
°C  
°C  
j
T
55 to 150  
stg  
Equivalent Circuit  
Collector  
Gate  
Emitter  
1
2003-01-28  

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