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GT25Q301 PDF预览

GT25Q301

更新时间： 2024-10-29 22:11:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关电动机控制双极性晶体管高功率电源
页数 文件大小 规格书
7页 172K
描述
N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

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GT25Q301 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.22其他特性：HIGH SPEED
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：25 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：320 ns门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：680 ns标称接通时间 (ton)：300 ns
Base Number Matches：1

GT25Q301 数据手册

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GT25Q301  
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT  
GT25Q301  
High Power Switching Applications  
Motor Control Applications  
Unit: mm  
·
·
·
·
·
The 3rd generation  
Enhancement-mode  
High speed: t = 0.32 µs (max)  
f
Low saturation voltage: V  
FRD included between emitter and collector  
= 2.7 V (max)  
CE (sat)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Gate-emitter voltage  
V
V
1200  
±20  
25  
V
V
CES  
GES  
DC  
Collector current  
1 ms  
I
C
A
A
I
50  
CP  
JEDEC  
JEITA  
―
―
DC  
Diode forward current  
1 ms  
I
25  
F
I
50  
FP  
Collector power dissipation  
(Tc = 25°C)  
TOSHIBA  
2-21F2C  
P
200  
W
C
Weight: 9.75 g (typ.)  
Junction temperature  
Storage temperature range  
T
150  
°C  
°C  
j
T
−55 to 150  
stg  
Equivalent Circuit  
Collector  
Gate  
Emitter  
1
2003-01-28  
1234567

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GT25Q301 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
GT26-1/1S-HU HRS

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 		Rectangular Connector
GT26-1/1S-R HRS

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 		Interconnection Device
GT2610 GTM

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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