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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.89 |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 25 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 350 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 600 ns | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 500 ns | 标称接通时间 (ton)： | 400 ns |
| VCEsat-Max： | 4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT25J102 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT25PI120B9H | SILVERMICRO |
获取价格 |
PIM IGBT-1200V |
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| GT25PI120C7H | SILVERMICRO |
获取价格 |
PIM IGBT-1200V |
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| GT25PI120T5H | SILVERMICRO |
获取价格 |
PIM IGBT-1200V |
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| GT25PI120T5H-T4 | SILVERMICRO |
获取价格 |
PIM IGBT-1200V |
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| GT25Q101 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT25Q102 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IBGT (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS) |
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| GT25Q102_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
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| GT25Q301 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT25Q301_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
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