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GT25Q102

更新时间： 2024-11-19 22:11:11

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网高功率电源
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描述
N CHANNEL IBGT (HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS)

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GT25Q102 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.23
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	25 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	320 ns
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	200 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	680 ns
标称接通时间 (ton)：	300 ns	Base Number Matches：	1

GT25Q102 数据手册

GT25Q102

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor

Silicon N Channel IGBT

GT25Q102

High Power Switching Applications

Unit: mm

The 3rd Generation

Enhancement-Mode

High Speed: t = 0.32 µs (max)

Low Saturation Voltage: V

= 2.7 V (max)

CE (sat)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-emitter voltage

Gate-emitter voltage

1200

±20

CES

GES

Collector current

1 ms

Collector power dissipation

(Tc = 25°C)

200

JEDEC

JEITA

―

Junction temperature

Storage temperature range

150

°C

-55~150

stg

TOSHIBA

2-21F2C

Weight: 9.75 g (typ.)

2003-03-18

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