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GSIB620/51

更新时间： 2024-11-09 14:50:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 100K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2.8A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN

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GSIB620/51 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSFM-T4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.77
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：180 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：2.8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GSIB620/51 数据手册

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GSIB620 thru GSIB680  
Vishay General Semiconductor  
Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers  
FEATURES  
• UL recognition file number E54214  
• Thin single in-line package  
• Glass passivated chip junction  
• High surge current capability  
• High case dielectric strength of 1500 V  
• Solder dip 260 °C, 40 s  
RMS  
~
~
~
~
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Case Style GSIB-5S  
TYPICAL APPLICATIONS  
General purpose use in ac-to-dc bridge full wave  
rectification for switching power supply, home  
appliances, office equipment, industrial automation  
applications.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
6.0 A  
MECHANICAL DATA  
VRRM  
IFSM  
IR  
200 V to 800 V  
180 A  
Case: GSIB-5S  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
10 µA  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
VF  
0.95 V  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
TJ max.  
150 °C  
Polarity: As marked on body  
Mounting Torque: 10 cm-kg (8.8 inches-lbs) max.  
Recommended Torque: 5.7 cm-kg (5 inches-lbs)  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
GSIB620  
GSIB640  
400  
GSIB660  
600  
GSIB680  
800  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
200  
V
V
V
VRMS  
140  
280  
420  
560  
Maximum DC blocking voltage  
VDC  
200  
400  
600  
800  
Maximum average forward rectified  
output current at  
TC = 100 °C  
A = 25 °C  
6.0 (1)  
2.8 (2)  
IF(AV)  
A
T
Peak forward surge current single sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
IFSM  
180  
120  
A
Rating for fusing (t < 8.3 ms)  
I2t  
A2s  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
Notes:  
(1) Unit case mounted on aluminum plate heatsink  
(2) Units mounted on P.C.B. with 0.5 x 0.5" (12 x 12 mm) copper pads and 0.375" (9.5 mm) lead length  
Document Number: 88648  
Revision: 15-Dec-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
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与GSIB620/51相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GSIB620/51-E3 VISHAY

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 		DIODE 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB620/72 VISHAY

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2.8A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN
GSIB620/72-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB620_08 VISHAY

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 		Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers
GSIB620_14 VISHAY

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 		Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers
GSIB620E3 VISHAY

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 		DIODE 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 P
GSIB620-E3 VISHAY

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 		DIODE 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 P
GSIB620-E3/45 VISHAY

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 		DIODE 6A 200V GSIB-5S
GSIB620-E3/72 VISHAY

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 		DIODE 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB620N VISHAY

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 		Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers

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