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GSIB660/72-E3

更新时间： 2024-09-18 14:50:39

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
4页	100K
描述
DIODE 2.8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode

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GSIB660/72-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.67
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	180 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	2.8 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
Base Number Matches：	1

GSIB660/72-E3 数据手册

GSIB620 thru GSIB680

Vishay General Semiconductor

Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers

FEATURES

• UL recognition file number E54214

• Thin single in-line package

• Glass passivated chip junction

• High surge current capability

• High case dielectric strength of 1500 V

• Solder dip 260 °C, 40 s

RMS

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

Case Style GSIB-5S

TYPICAL APPLICATIONS

General purpose use in ac-to-dc bridge full wave

rectification for switching power supply, home

appliances, office equipment, industrial automation

applications.

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

6.0 A

MECHANICAL DATA

V_RRM

I_FSM

I_R

200 V to 800 V

180 A

Case: GSIB-5S

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

10 µA

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

V_F

0.95 V

E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class

1A whisker test

T_Jmax.

150 °C

Polarity: As marked on body

Mounting Torque: 10 cm-kg (8.8 inches-lbs) max.

Recommended Torque: 5.7 cm-kg (5 inches-lbs)

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

GSIB620

GSIB640

400

GSIB660

600

GSIB680

800

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

200

V_RMS

140

280

420

560

Maximum DC blocking voltage

V_DC

200

400

600

800

Maximum average forward rectified

output current at

T_C= 100 °C

_A= 25 °C

6.0 ⁽¹⁾

2.8 ⁽²⁾

I_F(AV)

Peak forward surge current single sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

I_FSM

180

120

Rating for fusing (t < 8.3 ms)

I²t

A²s

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

Notes:

(1) Unit case mounted on aluminum plate heatsink

(2) Units mounted on P.C.B. with 0.5 x 0.5" (12 x 12 mm) copper pads and 0.375" (9.5 mm) lead length

Document Number: 88648

Revision: 15-Dec-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GSIB660E3	VISHAY	获取价格	DIODE 2.8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 P
GSIB660-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 2.8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 P
GSIB660-E3/45	VISHAY	获取价格	Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers
GSIB660-E3/51	VISHAY	获取价格	DIODE 2.8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB660-E3/72	VISHAY	获取价格	DIODE 2.8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB660N-M3/45	VISHAY	获取价格	Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers
GSIB680	GULFSEMI	获取价格	SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current: 6.0A
GSIB680	VISHAY	获取价格	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GSIB680/51	VISHAY	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2.8A, 800V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN
GSIB680/51-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 2.8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge

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