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Datasheet > GSIB640-E3
GSIB640-E3 PDF预览

GSIB640-E3

更新时间： 2024-09-18 14:50:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 201K
描述
DIODE 2.8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode

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GSIB640-E3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.44
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.95 VJESD-30 代码：R-PSFM-T4
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：180 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：2.8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：400 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

GSIB640-E3 数据手册

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GSIB620 thru GSIB680  
Vishay General Semiconductor  
Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers  
Major Ratings and Characteristics  
Case Style GSIB-5S  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
IR  
6 A  
200 V to 800 V  
180 A  
10 µA  
VF  
0.95 V  
Tj max.  
150 °C  
~
~
~
~
Features  
Mechanical Data  
• UL Recognition file number E54214  
Case: GSIB-5S  
• Thin Single In-Line package  
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating  
• Glass passivated chip junction  
• High surge current capability  
Terminals: Matte tin plated (E3 Suffix) leads, solder-  
able per J-STD-002B and JESD22-B102D  
Polarity: As marked on body  
Mounting Torque: 10 cm-kg (8.8 inches-lbs) max.  
Recommended Torque: 5.7cm-kg (5 inches-lbs)  
• High case dielectric strength of 1500 V  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
RMS  
Typical Applications  
General purpose use in ac-to-dc bridge full wave rec-  
tification for Switching Power Supply, Home Appli-  
ances, Office Equipment, Industrial Automation  
applications  
Maximum Ratings  
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Symbol  
VRRM  
GSIB620  
200  
GSIB640  
400  
GSIB660  
600  
GSIB680  
800  
Unit  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRMS  
VDC  
140  
200  
280  
400  
420  
600  
560  
800  
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
6.0(1)  
2.8(2)  
180  
Maximum average forward rectified  
output current at  
T
C = 100 °C  
IF(AV)  
TA = 25 °C  
Peak forward surge current single sine-wave  
IFSM  
A
superimposed on rated load (JEDEC Method)  
I2t  
A2sec  
°C  
Rating for fusing (t < 8.3 ms)  
120  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
Electrical Characteristics  
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Test condition  
at 3.0 A  
Symbol  
VF  
GSIB620  
GSIB640  
GSIB660  
GSIB680  
Unit  
V
Maximum instantaneous forward  
voltage drop per leg  
0.95  
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage per leg  
TA = 25 °C  
IR  
10  
250  
µA  
TA = 125 °C  
Document Number 88648  
20-Jul-05  
www.vishay.com  
1
1234

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与GSIB640-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GSIB640-E3/45 VISHAY

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 		Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers
GSIB640-E3/51 VISHAY

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 		DIODE 2.8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB640-E3/72 VISHAY

获取价格

 		DIODE 2.8 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB640N-M3/45 VISHAY

获取价格

 		Single-Phase Single In-Line Bridge Rectifiers
GSIB660 VISHAY

获取价格

 		Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GSIB660 GULFSEMI

获取价格

 		SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current: 6.0A
GSIB660/51 VISHAY

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2.8A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN
GSIB660/72 VISHAY

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2.8A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN
GSIB660/72-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 2.8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 PIN, Bridge
GSIB660E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 2.8 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE GSIB-5S, 4 P

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