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GF4800/5B PDF预览

GF4800/5B

更新时间： 2024-09-15 21:16:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 156K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SO-8

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GF4800/5B 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.83配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：9 A
最大漏源导通电阻：0.0185 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

GF4800/5B 数据手册

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GF4800  
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET  
V
DS  
30V R  
18.5 Ω I 9A  
DS(ON)  
m
D
SO-8  
0.197 (5.00)  
0.189 (4.80)  
5
8
1
0.157 (3.99)  
0.150 (3.81)  
0.05 (1.27)  
0.04 (1.02)  
0.244 (6.20)  
0.228 (5.79)  
0.165 (4.19)  
0.155 (3.94)  
0.245 (6.22)  
Min.  
Dimensions in inches  
and (millimeters)  
4
0.019 (0.48)  
x 45°  
0.020 (0.51)  
0.013 (0.33)  
0.035 (0.889)  
0.025 (0.635)  
0.050 typ.  
(1.27)  
0.010 (0.25)  
0.009 (0.23)  
0.007 (0.18)  
0.050 (1.27)  
0.069 (1.75)  
0.053 (1.35)  
Mounting Pad Layout  
0.050(1.27)  
0.016 (0.41)  
0°– 8°  
0.009 (0.23)  
0.004 (0.10)  
Mechanical Data  
Features  
Case: SO-8 molded plastic body  
• Advanced Trench Process Technology  
Terminals: Leads solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
• High Density Cell Design for Ultra Low  
On-Resistance  
High temperature soldering guaranteed:  
250°C/10 seconds at terminals  
• Specially Designed for Low Voltage DC/DC  
Converters  
Mounting Position: Any  
Weight: 0.5g  
• Fast Switching for High Efficiency  
• Reduced Gate Charge  
Packaging Codes – Options:  
5B – 2.5K per 13” reel, 15K per carton  
Maximum Ratings and Thermal Characteristics(TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
30  
V
±
VGS  
25  
Continuous Drain Current  
TJ = 150°C(1)  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
9
7
ID  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
PD  
40  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
2.5  
1.6  
Maximum Power Dissipation(1)  
W
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Maximum Junction-to-Ambient(1) Thermal Resistance  
TJ, Tstg  
RθJA  
–55 to 150  
50  
°C  
°C/W  
Notes: (1) Surface mounted on FR4 board, t ≤ 10 sec.  
2/15/01  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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