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GF50HF120T1H

更新时间： 2024-09-17 17:15:55

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银茂微 - SILVERMICRO		双极性晶体管
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IGBT Half Bridge-1200V

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GF50HF120T1H 数据手册

GF50HF120T1H

IGBT Module

Features：



Short Circuit Rated>10μs

Low Saturation Voltage:

V_{CE (sat)}=3.30V @ I_C=50A , T_C=25℃



Low Switching Loss

100% RBSOA Tested（2×Ic）

Low Stray Inductance

Lead Free, Compliant with RoHS Requirement

Applications：



Welding Machine、Cutting Machine

Plating Power Supply、Induction Heating

SMPS、UPS

Maximum Rated Values of IGBT(T_C=25℃ unless otherwise specified)

V_CES

V_GES

Collector-Emitter Blocking Voltage

Gate-Emitter Voltage

1200

±20

T_C= 80℃

T_C= 25℃

T_J= 175℃

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

t_SC

P_D

Repetitive Peak Collector Current

Short Circuit Withstand Time

100

>10

390

μss

T_C= 25℃

T_Jmax=175℃

Maximum Power Dissipation per IGBT

www.njsme.com

Page 1 Rev. 0

05/18/201

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