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GF4953/5B

更新时间： 2024-09-16 20:09:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 101K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.053ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SO-8

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GF4953/5B 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：4.9 A最大漏源导通电阻：0.053 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

GF4953/5B 数据手册

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GF4953  
Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET  
V
DS  
–30V R 53 Ω I –4.9A  
DS(ON) m D  
D1 D1 D2 D2  
7 5  
8
6
SO-8  
Q1  
Q2  
0.197 (5.00)  
0.189 (4.80)  
5
8
1
1
2
3
4
0.157 (3.99)  
0.150 (3.81)  
S1 G1 S2 G2  
0.244 (6.20)  
0.228 (5.79)  
0.05 (1.27)  
0.04 (1.02)  
Dimensions in inches  
and (millimeters)  
4
0.165 (4.19)  
0.155 (3.94)  
0.245 (6.22)  
Min.  
0.019 (0.48)  
x 45°  
0.020 (0.51)  
0.013 (0.33)  
0.010 (0.25)  
0.009 (0.23)  
0.007 (0.18)  
0.050 (1.27)  
0.069 (1.75)  
0.053 (1.35)  
0.035 (0.889)  
0.025 (0.635)  
0.050 typ.  
(1.27)  
0.050(1.27)  
0.016 (0.41)  
0°– 8°  
0.009 (0.23)  
0.004 (0.10)  
Mounting Pad Layout  
Mechanical Data  
Features  
Case: SO-8 molded plastic body  
• Advanced Trench Process Technology  
Terminals: Leads solderable per MIL-STD-  
750,Method 2026  
• High Density Cell Design for Ultra Low  
On-Resistance  
High temperature soldering guaranteed:  
250°C/10 seconds at terminals  
• Specially Designed for Low Voltage DC/DC  
Converters  
Mounting Position: Any  
Weight: 0.5g  
• Fast Switching for High Efficiency  
Packaging Codes – Options:  
5B – 2.5K per 13” reel, 15K per carton  
Maximum Ratings and Thermal Characteristics(TA = 25°C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
–30  
V
±
VGS  
20  
Continuous Drain Current  
(TJ = 150°C)  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
–4.9  
–3.9  
ID  
IDM  
PD  
A
Pulsed Drain Current  
–30  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
2.0  
1.3  
Maximum Power Dissipation(1)  
W
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Maximum Junction-to-Ambient Thermal Resistance(1)  
TJ, Tstg  
RθJA  
–55 to 150  
62.5  
°C  
°C/W  
Note: (1) Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.  
2/15/01  
12345

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