GBU8K

更新时间： 2024-11-26 22:39:43

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		整流二极管桥式整流二极管
页数	文件大小	规格书
2页	232K
描述
Silicon-Bridge Rectifiers

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

GBU8K 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	0.61
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	300 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	5.6 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GBU8K 数据手册

GBU 8A … GBU 8M

Silicon-Bridge Rectifiers

Silizium-Brückengleichrichter

Nominal current – Nennstrom

8 A

Alternating input voltage

35…700 V

Eingangswechselspannung

Plastic case

20.8 x 3.3 x 18 [mm]

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

3.8 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging: bulk

see page 22

s. Seite 22

Standard Lieferform: lose im Karton

Dimensions / Maße in mm

Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067

Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067

Maximum ratings

Type

Typ

Grenzwerte

Repetitive peak reverse voltage

max. alternating input voltage

max. Eingangswechselspannung Periodische Spitzensperrspannung

V_VRMS[V]

V_RRM[V] ¹)

GBU 8A

GBU 8B

GBU 8D

GBU 8G

GBU 8J

GBU 8K

GBU 8M

140

280

420

560

700

100

200

400

600

800

1000

Repetitive peak fwd. current – Period. Spitzenstrom

f > 15 Hz

I_FRM

I_FSM

50 A ²)

300 A

Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle

T_A= 25ꢀC

Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms

T_A= 25ꢀC

i²t

375 A²s

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

– 50…+150ꢀC

T_S– 50…+150ꢀC

Admissible torque for mounting

Zulässiges Anzugsdrehmoment

M 4

9 ± 10% lb.in

1 ± 10% Nm

)

Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

334

01.10.2002

中文翻译

下载PDF

GBU8K 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
KBU8K	DIOTEC	类似代替	Silicon-Bridge Rectifiers
BU1006	VISHAY	功能相似	Enhanced PowerBridge Rectifiers
GBJ808-F	DIODES	功能相似	8.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

与GBU8K相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBU8K/1	VISHAY	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 8A, 800V V(RRM),
GBU8K/1-E3	VISHAY	获取价格	暂无描述
GBU8K_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
GBU8K-BP	MCC	获取价格	8 Amp Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
GBU8KD	DIOTEC	获取价格	Protectifiers - LowVF Bridge Rectifier with Overvoltage Protection
GBU8K-E3	VISHAY	获取价格	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU8K-E3/45	VISHAY	获取价格	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU8K-E3/51	VISHAY	获取价格	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU8K-E3/72	VISHAY	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 8A, 800V V(RRM),
GBU8KG	DIOTEC	获取价格	Protectifiers - LowVF Bridge Rectifier with Overvoltage Protection

与GBU8K相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

46
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

63
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

60

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GBU8K

GBU8K 技术参数

GBU8K 数据手册

GBU8K 替代型号

与GBU8K相关器件

与GBU8K相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GBU8K

GBU8K 技术参数

GBU8K 数据手册

GBU8K 替代型号

与GBU8K相关器件

与GBU8K相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？