GBU8KD ... GBU8KG
GBU8KD ... GBU8KG
Protectifiers® – LowVF Bridge Rectifier with Overvoltage Protection
Protectifiers® – LowVF-Brückengleichrichter mit Überspannungsschutz
Version 2011-08-25
Nominal current
Nennstrom
8 A
140 V, 280 V
21.5±0.7
3.6±0.2
3.4±0.1
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
20.8 x 3.3 x 18 [mm]
GBU ...
–
+
~
~
2.2
0.5+0.1
Weight approx. – Gewicht ca.
7 g
1.8
+0.2
- 0.1
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
1.1
5.08
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Features
Vorteile
Low VF for reduced power losses
High inrush surge capability IFSM
Reverse overvoltage protection PPPM
UL Recognized Product – File E175067
Niedriges VF für reduzierte Verluste
Hoher Einschalt-Stromstoß IFSM
Sperrseitiger Überspannungsschutz PPPM
UL-anerkanntes Produkt – File Nr. E175067
Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C)
Grenz- und Kennwerte (TJ = 25°C)
Type
Typ
Alternating input voltage
Max. rev. current
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung
Forward voltage
Eingangswechselspannung Max. Sperrstrom 1)
Fluss-Spannung 1)
VVRMS [V]
< 140
ID [µA] @ VWM [V]
VBR [V] @ IT [mA]
VF [V] @ IF [A]
GBU8KD
GBU8KG
< 5
< 5
190
380
> 210
> 400
1
1
< 0.9
< 0.9
8
8
< 280
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
IFSM
i2t
60 A 2)
300/330 A
450 A2s
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
TA = 25°C
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Thermal resistance junction to case
RthC
< 3 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
M3
9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
1
2
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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