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GBU8M

更新时间: 2024-11-26 11:11:11
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网IOT二极管
页数 文件大小 规格书
5页 178K
描述
1000V/6A桥式整流器

GBU8M 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
包装说明:R-PSFM-W4Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
Factory Lead Time:10 weeks风险等级:0.63
其他特性:UL RECOGNIZED最小击穿电压:1000 V
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:R-PSFM-W4
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:200 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:6 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:16 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin (Sn)
端子形式:WIRE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

GBU8M 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Bridge Rectifiers  
GBU8A - GBU8M  
Features  
GlassPassivated Junction  
Surge Overload Rating: 200 A Peak  
Reliable LowCost Construction Utilizing Molded Plastic Technique  
Ideal for Printed Circuit Board  
UL Certified: UL #E258596  
SIP4  
CASE 127EL  
PACKAGE MARKING AND ORDERING INFORMATION  
Packing  
Method  
Part Number  
Marking  
GBU8A  
GBU8B  
GBU8D  
GBU8G  
GBU8J  
GBU8K  
GBU8M  
Package  
GBU8A  
GBU 4L  
Rail  
GBU8B  
GBU8D  
GBU8G  
GBU8J  
GBU8K  
GBU8M  
MARKING DIAGRAM  
RU$Y&Z&3  
GBU  
8A  
~
~
+
RU  
= UL Marking  
$Y  
&Z  
&3  
GBU8A  
= ON Semiconductor Logo  
= Assembly Plant Code  
= Numeric Date Code  
= Specific Device Code  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
September, 2021 Rev. 3  
GBU8B/D  

GBU8M 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
GBU8B ONSEMI

完全替代

8 A 桥式整流器
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类似代替

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DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Recti
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GBU8M-E3 VISHAY

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DIODE 8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, B
GBU8M-E3/45 VISHAY

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Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU8M-E3/51 VISHAY

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Diode Rectifier Bridge Single 1KV 8A 4-Pin Case GBU
GBU8M-E3-E3 VISHAY

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Bridge Rectifier Diode, 3A, 1000V V(RRM),