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GBU8M

更新时间： 2024-01-11 23:55:59
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2页 158K
描述
8.0 A MP Glass Passivated Bridge Rectifiers

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GBU8M 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：1.19
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T4湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：300 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最大输出电流：5.6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GBU8M 数据手册

 浏览型号GBU8M的Datasheet PDF文件第2页 
GBU8A ~ GBU8M  
VOLTAGE 50V ~ 1000V  
Elektronische Bauelemente  
8.0 AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen-free.  
LC-35  
.874(22.2)  
.860(21.8)  
3.2*3.2  
CHAMFER  
.139(3.53)  
.133(3.37)  
.154(3.9)  
.146(3.7)  
.752(19.1)  
.720(18.3)  
FEATURES  
.232(5.9)  
.224(5.7)  
n
n
n
n
Glass passivated die construction  
Ideal for printed circuit board  
.073(1.85)  
.057(1.45)  
_
~
High case dielectric strength of 1500VRMS  
~
+
Plastic material has underwrites laboratory  
flammability classification 94V-0  
.100(2.54)  
.085(2.16)  
Max..138(3.5)  
.022(.56)  
n
n
n
n
Low reverse leakage current  
Surge overload rating to 200A peak  
Polarity: marked on body  
.018(.46)  
.080(2.03)  
.065(1.65)  
.047(1.2)  
.035(0.9)  
.106(2.7)  
.091(2.3)  
Mounting position: Any  
.210 .210 .210  
.190 .190 .190  
(5.3) (5.3) (5.3)  
(4.8) (4.8) (4.8)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating 25oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Resistive or inductive load, 60Hz,  
For capacitive load, derate current by 20%.  
GB  
U8K  
GBU8A  
GBU8M  
TYPE NUMBER  
SYMBOL  
GBU8B  
GBU8D  
GBU8G  
GBU8J  
UNITS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
100  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
1000  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward (with heatsink Note2)  
Rectified Current @ TC=100 (without heatsink)  
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single  
half Sine-wave superimposed  
I(AV)  
A
8.0  
IFSM  
200  
A
on rated load (JEDEC method)  
Maximum Forward Voltage at 2.0A  
Maximum DC Reverse Current Ta=25 к  
at Rated DC Blocking Voltage Ta=125 к  
I2t Rating for fusing (t<8.3ms)  
VF  
IR  
I2t  
1.0  
5.0  
500  
V
µA  
A2S  
pF  
166  
Typical Junction Capacitance  
per element (Note1)  
CJ  
130  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
RșJC  
TJ  
TSTG  
2.2  
- 55 ~ + 150  
- 55 ~ + 150  
к / W  
к
к
NOTES:  
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2. Device mounted on 50mm x 50mm x 1.6mm Cu Plate Heatsink.  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changing of specification will not be informed individual  
Page 1 of 2  
01-Jun-2002 Rev. A  
12

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与GBU8M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GBU8M(LS) DIODES

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 		8A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBU8M/1 VISHAY

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 8A, 1000V V(RRM),
GBU8M/51-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Recti
GBU8M/72 VISHAY

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN
GBU8M/72-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Recti
GBU8M-BP MCC

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 		8 Amp Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
GBU8M-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, B
GBU8M-E3/45 VISHAY

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 		Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU8M-E3/51 VISHAY

获取价格

 		Diode Rectifier Bridge Single 1KV 8A 4-Pin Case GBU
GBU8M-E3-E3 VISHAY

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 3A, 1000V V(RRM),

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