GBU8M

更新时间： 2024-09-27 10:41:07

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Glass Passivated

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GBU8M 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
最小击穿电压：	1000 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	TS 16949	最大重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

GBU8M 数据手册

Glass Passivated

Single-Phase Bridge Rectifiers

GBU8A ~ GBU8M

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 8.0 Amperes

0.187 (4.7)

0.148 (3.8)

0.88 (22.3)

0.86 (21.8)

0.310 (7.9)

0.290 (7.4)

9^oTyp.

FEATURES :

* Ideal for printed circuit boards

* Reliable low cost construction utilizing

molded plastic technique

* Plastic material has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

* Pb / RoHS Free

0.085 (2.16)

0.065 (1.65)

~ ~ +

0.060 (1.52)

0.045 (1.14)

0.100 (2.54)

0.850 (2.16)

0.080 (2.03)

0.065 (1.65)

MECHANICAL DATA :

* Case : Molded plastic

* Polarity : Polarity symbols marked on case

* Mounting position : Any

* Weight : 4 grams

0.210 0.210 0.210

0.190 0.190 0.190

(5.33) (5.33) (5.33)

(4.83) (4.83) (4.83)

Dimensions in inches and ( millimeter )

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

GBU GBU GBU GBU GBU GBU GBU

SYMBOL

UNIT

RATING

100 200 400 600 800 1000

70 140 280 420 560 700

V_RRM

V_RMS

V_DC

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward Rectified

100 200 400 600 800 1000

I_F(AV)

8.0

Output Current Tc=100°C (Note2)

Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single half sine-wave

Superimposed on rated load (JEDEC Method)

Rating for fusing ( t < 8.3 ms. )

I_FSM

200

166

I²t

V_F

I_R

A²S

Maximum Instantaneous Forward Voltage per leg at I_F= 8 A

1.0

5.0

Maximum DC Reverse Current

T_J= 25 °C

I_R(H)

C_J

at Rated DC Blocking Voltage per leg

T_J= 100 °C

500

Typical Junction capacitance per element (Note1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

211

°C/W

°C

R_qJC

T_J

2.2

- 50 to + 150

T_STG

°C

Notes :

(1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC

(2) Units case mounted on 3.2" x 3.2" x 0.12" THK (8.2 x 8.2 x 0.3cm Al. Plate heatsink.

Page 1 of 2

Rev. 02 : March 25, 2005

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与GBU8M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBU8M(LS)	DIODES	获取价格	8A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBU8M/1	VISHAY	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 8A, 1000V V(RRM),
GBU8M/51-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Recti
GBU8M/72	VISHAY	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN
GBU8M/72-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 3 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, Bridge Recti
GBU8M-BP	MCC	获取价格	8 Amp Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
GBU8M-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 8 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE GBU, 4 PIN, B
GBU8M-E3/45	VISHAY	获取价格	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU8M-E3/51	VISHAY	获取价格	Diode Rectifier Bridge Single 1KV 8A 4-Pin Case GBU
GBU8M-E3-E3	VISHAY	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 3A, 1000V V(RRM),

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