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GBU1010B1 PDF预览

GBU1010B1

更新时间： 2024-11-06 05:23:23
品牌 Logo 应用领域
扬杰 - YANGJIE 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 399K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 1000V V(RRM), Silicon,

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GBU1010B1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.78其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T4最大非重复峰值正向电流：175 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：1000 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GBU1010B1 数据手册

 浏览型号GBU1010B1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GBU1010B1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GBU1010B1的Datasheet PDF文件第4页 
RoHS  
GBU10005 THRU GBU1010  
Bridge Rectifier  
COMPLIANT  
Features  
● UL recognition, file #E230084  
● Ideal for printed circuit boards  
● High surge current capability  
● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106  
Typical Applications  
General purpose use in AC/DC bridge full wave rectification for  
monitor, TV, printer, power supply, switching mode power supply,  
adapter, audio equipment, and home appliances applications.  
Mechanical Data  
●
ackage: GBU  
P
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating, RoHS-compliant  
● Terminals: Tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
●
As marked on body  
Polarity:  
~
~
(T =25℃ Unless otherwise specified  
■
Maximum Ratings  
）
a
GBU10005 GBU1001 GBU1002 GBU1004 GBU1006 GBU1008 GBU1010  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
GBU10005 GBU1001 GBU1002 GBU1004 GBU1006 GBU1008 GBU1010  
Device marking code  
V
Repetitive peak reverse voltage  
V
A
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
RRM  
With heatsink  
Average rectified output  
current @60Hz half sine  
wave, R-load  
10.0  
3.2  
Tc =80℃  
I
O
Without heatsink  
Ta =25℃  
Surge(non-repetitive)forward current  
@60Hz half sine wave, 1 cycle, Tj=25℃  
I
A
FSM  
175  
Current squared time  
@1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃, Rating of per diode  
I2t  
A2S  
127  
Storage temperature  
Junction temperature  
T
-55 ~+150  
stg  
℃
℃
T
j
-55 ~+150  
Dielectric strength  
@ terminals to case, AC 1 minute  
V
KV  
dis  
2.5  
8
Mounting torque  
@recommend torque：5kg·cm  
Tor  
kg·cm  
（T =25℃ Unless otherwise specified）  
■Electrical Characteristics  
a
TEST  
CONDITIONS  
GBU10005 GBU1001 GBU1002 GBU1004 GBU1006 GBU1008 GBU1010  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
Maximum instantaneous forward  
voltage drop per diode  
V
V
1.00  
F
I
=5.0A  
FM  
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage per  
diode  
I
5
RRM  
V
=V  
μA  
RM RRM  
1 / 4  
S-B047  
Rev. 2.2, 28-Nov-18  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  
1234

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与GBU1010B1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GBU1010C HY

获取价格

 		SILICON BRIDGE RECTIFIERS
GBU1010G HY

获取价格

 		Rectifier Diode,
GBU1010-G COMCHIP

获取价格

 		RECT BRIDGE GPP 1000V 10A GBU
GBU1010H ZOWIE

获取价格

 		GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBU1010LC ZOWIE

获取价格

 		Low VF Bridge Rectifier
GBU1010TB ETC

获取价格

 		BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU
GBU10A GULFSEMI

获取价格

 		SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current: 10.0A
GBU10A DACHANG

获取价格

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GBU10A LGE

获取价格

 		Silicon Bridge Rectifiers
GBU10A PANJIT

获取价格

 		GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 10.0 Am

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