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GBU10AP

更新时间： 2024-09-28 19:28:23

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		/
页数	文件大小	规格书
3页	111K
描述
DIODE 10 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, GBU, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode

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GBU10AP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	PLASTIC, GBU, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.2	Base Number Matches：	1

GBU10AP 数据手册

GBU10A

THRU

GBU10M

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

10 Amp Single Phase

Glass Passivated

Bridge Rectifiers

50 to 1000 Volts

xꢀ Glass Passivated Chip junction

xꢀ High Surge Overload Rating

xꢀ UL Recognized File # E165989

xꢀ

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0

Marking : type number

Maximum Ratings

GBU

xꢀ Operating Temperature: -55к to +150к

xꢀ Storage Temperature: -55к to +150к

xꢀ Typical Thermal Resistance:2.2к/W Junction to Case(Heatsink)

Maximum

Recurrent

Maximum DC

Blocking

Voltage

MCC

Maximum

3.2x45

Part Number Peak Reverse RMS Voltage

Voltage

GBU10A

GBU10B

GBU10D

GBU10G

GBU10J

GBU10K

GBU10M

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

35V

70V

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

1.90 RADIUS

140V

280V

420V

560V

700V

Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified

Maximum Average

Forward Current

(with heatsink Note

T_C= 100к

I_F(AV)

10 A

DIMENSIONS

INCHES

MIN

21.80

18.30

3.30

17.50

0.76

0.46

Peak Forward Surge

Current

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

DIM

MIN

.860

.720

.130

.690

.030

.018

.290

.140

.065

.089

.077

.040

.190

MAX

.880

.740

.140

.710

.039

.022

.310

.160

MAX

22.30

18.80

3.56

NOTE

I_FSM

200A

1.1V

8.3ms, half sine

18.00

1.00

0.56

7.90

4.10

2.16

2.75

2.35

1.27

5.33

At 5A DC

V_F

7.40

3.50

T_A= 25к

5.0uA

500uA

.085

.108

.093

.050

.210

1.65

2.25

1.95

1.02

4.83

I_R

T_A= 125к

Typical Junction

Capacitance

I²t Rating for Fusing

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

200A²S t<8.3ms

C_J

I²t

70pF

7.0 TYPICAL

Note:1.Device mounted on 100mm × 100mm × 1.6mm Cu Plate

Heatsink

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: 4

2007/01/16

12 3

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与GBU10AP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBU10A-T	DIOTEC	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
GBU10B	GULFSEMI	获取价格	SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current: 10.0A
GBU10B	SECOS	获取价格	Molding Single-Phase Bridge Rectifier
GBU10B	DACHANG	获取价格	Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000V Forward Current 10 A
GBU10B	PANJIT	获取价格	GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 10.0 Am
GBU10B	YEASHIN	获取价格	10 Amp Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifiers 50 to 1000 Volts
GBU10B	AMERICASEMI	获取价格	BRIDGE RECTIFIERS
GBU10B	LRC	获取价格	High Current Glass Passivated Molding Single-Phase Bridge Rectifier
GBU10B	DIOTEC	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
GBU10B	BL Galaxy Electrical	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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