FZT951QTC

更新时间： 2024-11-16 13:07:55

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Power Bipolar Transistor

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FZT951QTC 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	13 weeks
风险等级：	5.66	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

FZT951QTC 数据手册

SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT

(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS

FZT951

FZT953

ISSUE 3 - APRIL 2000

FEATURES

5 Amps continuous current , up to 15 Amps peak current

Very low saturation voltages

Excellent gain characteristics specified up to 10 Amps

P_tot= 3 watts

FZT951 exhibts extremely low equivalent on resistance;

R_CE(sat)55m at 4A

COMPLEMENTARY TYPES - FZT951 = FZT851

FZT953 = FZT853

PARTMARKING DETAILS -

DEVICE TYPE IN FULL

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

FZT951

-100

FZT953

-140

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-60

-100

-6

Peak Pulse Current

-15

-10

Continuous Collector Current

Power Dissipation at T_amb=25°C

I_C

-5

P_tot

°C

Operating and Storage Temperature

Range

T_j:T_stg

-55 to +150

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 4 square inch minimum

3 - 279

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZT951TA	DIODES	获取价格	SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
FZT951TC	DIODES	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT951TC	ZETEX	获取价格	Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4
FZT953	ZETEX	获取价格	SOT223 PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS
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