是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220F | 包装说明: | TO-220F, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.15 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 790 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5.8 A |
最大漏极电流 (ID): | 5.8 A | 最大漏源导通电阻: | 0.7 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 55 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 23 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT APPLICABLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQPF12N60 | FAIRCHILD |
完全替代 |
600V N-Channel MOSFET | |
FQPF12N60C | FAIRCHILD |
类似代替 |
FQP12N60C/FQPF12N60C | |
STP10NK60ZFP | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 600V-0.65ohm-10A TO-220/FP/D2PAK/I2 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQPF12P10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V P-Channel MOSFET | |
FQPF12P20 | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET | |
FQPF12P20YDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V P-Channel MOSFET | |
FQPF13N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET | |
FQPF13N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQPF13N06L | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,60 V,10 A,110 mΩ,TO | |
FQPF13N10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V N-Channel MOSFET | |
FQPF13N10L | FAIRCHILD |
获取价格 |
100V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQPF13N50 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET | |
FQPF13N50C | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |