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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220F |
| 包装说明： | TO-220F, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.68 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 860 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13 A | 最大漏极电流 (ID)： | 13 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.48 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 48 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 52 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQPF13N50C_F105 | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel QFET® MOSFET 500V, 13A, 480mΩ, TO-220F 3L, 8000-RAIL |
|
| FQPF13N50CF | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V N-Channel MOSFET |
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| FQPF13N50CF | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，FRFET®，500 V，13 A，540mΩ， |
|
| FQPF13N50CT | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| FQPF13N50T | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET |
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| FQPF140N03L | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQPF14N15 | FAIRCHILD |
获取价格 |
150V N CHANNEL MOSFET |
|
| FQPF14N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V N-Channel MOSFET |
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| FQPF15P12 | FAIRCHILD |
获取价格 |
120V P-Channel MOSFET |
|
| FQPF15P12 | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道 QFET® MOSFET -120V，-15A，200mΩ |
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