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FQPF11N40C

更新时间： 2024-10-03 11:11:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 414K
描述
N 沟道 QFET® MOSFET 400V，10.5A，530mΩ

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FQPF11N40C 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.75
雪崩能效等级（Eas）：360 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10.5 A最大漏极电流 (ID)：10.5 A
最大漏源导通电阻：0.53 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：44 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：42 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQPF11N40C 数据手册

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FQP11N40C, FQPF11N40C  
QFET) MOSFET, N-Channel  
400 V, 10.5 A, 530 mW  
Description  
This N−Channel enhancement mode power MOSFET is produced  
using ON Semiconductor proprietary planar stripe and DMOS  
technology. This advanced MOSFET technology has been especially  
tailored to reduce on−state resistance, and to provide superior  
switching performance and high avalanche energy strength. These  
devices are suitable for switched mode power supplies, active power  
factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.  
www.onsemi.com  
G
G
D
S
D
Features  
S
• 10.5 A, 400 V, R  
= 530 mW (Max.) @ V = 10 V, I = 5.25 A  
DS(on)  
GS  
D
TO−220−3LD  
CASE 340AT  
TO−220F−3SG  
CASE 221AT  
• Low Gate Charge (Typ. 28 nC)  
• Low Crss (Typ. 85 pF)  
D
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
G
S
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information on  
page 2 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2018  
1
Publication Order Number:  
June, 2018 − Rev. 4  
FQPF11N40C/D  
1234567...11

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与FQPF11N40C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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